Internationales Treffen und Ausstellung für angewandte Wissenschaft und Ingenieurwissenschaften 2025

Internationales Treffen und Ausstellung für angewandte Wissenschaft und Ingenieurwissenschaften Dubai 2025
From February 13, 2025 until February 15, 2025
Dubai – Dubai, Dubai, Vereinigte Arabische Emirate
(Bitte überprüfen Sie die Daten und den Ort auf der offiziellen Website unten, bevor Sie teilnehmen.)

ASEMEET2025 | Internationales Treffen und Ausstellung für angewandte Wissenschaft und Technik 2025 | Tagungen zu angewandten Wissenschaften

Internationales Treffen und Ausstellung zum Thema Angewandte Wissenschaft und Technik. Dubai, VAE. Wissenschaftliche Sitzungen.

Norwegische Universität für Wissenschaft und Technologie – NTNU Norwegen.

Professor Saraswat erwarb seinen BE an der Stanford University in Stanford, Kalifornien, und erhielt 1969 bzw. 1974 seinen Ph.D. in Elektrotechnik und seinen MS in Elektronik. Professor Saraswat forschte viele Jahre in Stanford, bevor er Professor für Elektrotechnik wurde. Seit Januar 2004 ist er außerordentlicher Professor am Birla Institute of Technology and Science im indischen Pilani. Im Sommer 2007 war er zudem Gastprofessor am IIT Bombay. Von 2000 bis 2007 war er stellvertretender Direktor des NSF/SRC Center for Environmentally Benign Semiconductor Manufacturing. Er war Berater, Vorstandsmitglied und technischer Berater zahlreicher Industrieunternehmen in den USA, Asien und Europa. Er hat viele akademische und staatliche Organisationen auf der ganzen Welt beraten. Professor Saraswat interessiert sich für die Entwicklung neuer Materialien, Strukturen und Prozesse für Halbleiterbauelemente, Verbindungselemente, Solarzellen und Nanoelektronik. In den Jahren 1969 und 1970 arbeitete er bei Texas Instruments an Mikrowellentransistoren. Nach seiner Rückkehr nach Stanford schloss er 1971 seinen Ph.D. in Hochspannungs-MOS-Schaltkreisen und -Bauelementen ab. 1975 wurde er Forschungsassistent an der Stanford University. Später wurde er Professor für Elektrotechnik. Die nächsten 15 Jahre arbeitete er an der Fertigungstechnologie für Silizium-Halbleiter. Er war ein Pionier bei der Entwicklung von Aluminium-/Titan-Verbindungselementen und CVD von Wolfram sowie Wolframsilizid-MOS-Gates. In den späten 1980er Jahren entwickelte er ein Interesse an der Wirtschaftlichkeit der Waferproduktion und der damit verbundenen Technologie. Er entwickelte Geräte, Simulatoren und Technologien für die thermische Verarbeitung und Abscheidung einzelner Wafer sowie für das Ätzen. 1993 wurde gemeinsam mit Texas Instruments ein Mikrofaktor für die Herstellung einzelner Wafer demonstriert. Er erforscht neue Materialien, Geräte und Verbindungen in nanoskaligen MOSFETs. Er war Vorreiter neuer Konzepte für 3D-ICs mit mehreren Schichten heterogener Geräte. Seine Gruppe entwickelte die ersten Germanium-CMOS-Geräte mit High-k- und Metall-Gates. Seine aktuelle Forschung konzentriert sich auf die Entwicklung neuer Materialien und Gerätestrukturen, um die Effizienz von Solarzellen zu steigern, die Kosten zu senken und die MOS-Transistoren weiter zu skalieren.


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